[15p-2T-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [15p-2T-9] 銅インターカレーションしたSiC(0001)上グラフェンのTEM観察

〇(M2)今井 雅人¹、乗松 航¹、楠 美智子^1,2 (1.名大院工、2.名大エコ)

キーワード：グラフェン

グラフェンは高いキャリア移動度、高い機械的強度を持つ透明薄膜であることから次世代電子デバイス材料として期待されている。SiC表面分解法を用いて作製されたグラフェンは、Buffer層と呼ばれるSiCとの界面層による電子散乱の影響により、温度上昇に伴うキャリア移動度の低下が確認されている。そこで本研究では、銅をその層間にインターカレーションすることによる界面の変化と、透過型電子顕微鏡(TEM)による直接観察を試みた。