[15p-2U-1~1] 17.4 Device applications

[15p-2U-1] Study of MoS₂-FET with organic ferroelectric VDF/TrFE gate structure

Araie Yoshihiro¹, Kobayashi Takuhei¹, Nakajima Takashi², 〇Takeshi Kawae¹ (1.Grad. School of Natural Sci. & Tech. Kanazawa Univ., 2.Tokyo Univ. of Science)

Keywords:MoS2,VDF-TrFE,FET

二次元物質半導体の一つであるMoS₂と、低ラフネスでの薄膜形成が可能な有機強誘電体VDF/TrFEを用いた強誘電体ゲートFET構造を作製した。本研究では、VDF/TrFEの残留分極によって変調したドレイン電流の保持特性を検証し、VDF/TrFEゲート部の強誘電性に由来するMoS₂-FETの特性について調査を行った。