[15p-2U-1~1] 17.4 デバイス応用

[15p-2U-1] 有機強誘電体VDF/TrFEをゲートとしたMoS₂-FET構造の特性評価

新家 義裕¹、小林 拓平¹、中嶋 宇史²、〇川江 健¹ (1.金沢大院自然、2.東京理科大)

キーワード：MoS2、VDF-TrFE、FET

二次元物質半導体の一つであるMoS₂と、低ラフネスでの薄膜形成が可能な有機強誘電体VDF/TrFEを用いた強誘電体ゲートFET構造を作製した。本研究では、VDF/TrFEの残留分極によって変調したドレイン電流の保持特性を検証し、VDF/TrFEゲート部の強誘電性に由来するMoS₂-FETの特性について調査を行った。