[15p-2U-2~11] 17.1 成長技術

[15p-2U-10] MoS₂の結晶成長極初期過程の理論検討

〇(M1)岡田 克也¹、影島 博之¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：二硫化モリブデン、第一原理計算、結晶成長

新規デバイス材料として期待されている二次元半導体MoS₂の結晶成長の極初期過程を第一原理計算によって模索し、結晶成長条件の検討を行った。