[15p-2U-2~11] 17.1 成長技術

△ [15p-2U-2] 単層二硫化タングステンの大面積合成とその合成機構

〇高橋 智之¹、加藤 俊顕¹、金子 俊郎¹ (1.東北大院工)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、大面積合成、合成機構

近年，原子オーダーの厚みを有する構造的特徴に加え, 明確なバンドギャップを有する半導体として振る舞う遷移金属ダイカルコゲナイド (TMD)が盛んに研究されている．筆者らは，TMDの一種である単層二硫化タングステン (WS₂) の高品質大面積合成を目的に系統的な実験を行った．本講演では，条件最適化を行った結果, 結晶面内一様に強い発光強度を示す結晶サイズ60 μm程度の高品質大面積単層WS₂の合成に成功したので報告する．