[15p-2U-2~11] 17.1 成長技術

△ [15p-2U-9] Al₂O₃(0001)面上MoS₂の配向についての第一原理計算

〇實宝 秀幸¹、林 賢二郎¹、佐藤 信太郎¹、大淵 真理¹ (1.富士通研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、第一原理計算

α-Al₂O₃(0001)基板上の単層MoS₂について第一原理計算を行った。最もエネルギーの低い構造(a)とMoS₂を60°回転した構造(b)のエネルギー差はユニットセルあたり6meVであることが分かった。今回の結果によりサファイアc面上で2つの向きのMoS₂正三角形島が同程度CVD成長する現象を説明できる可能性がある。