The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.1 Growth technology

[15p-2U-2~11] 17.1 Growth technology

Tue. Sep 15, 2015 2:00 PM - 4:45 PM 2U (233)

座長:安藤 淳(産総研)

4:00 PM - 4:15 PM

[15p-2U-9] First-principles calculations of the orientation of MoS2 on Al2O3(0001) substrate

〇Hideyuki Jippo1, Kenjiro Hayashi1, Shintaro Sato1, Mari Ohfuchi1 (1.Fujitsu Labs. Ltd.)

Keywords:Transition Metal DiChalcogenide,First-principles calculations

α-Al2O3(0001)基板上の単層MoS2について第一原理計算を行った。最もエネルギーの低い構造(a)とMoS2を60°回転した構造(b)のエネルギー差はユニットセルあたり6meVであることが分かった。今回の結果によりサファイアc面上で2つの向きのMoS2正三角形島が同程度CVD成長する現象を説明できる可能性がある。