[15p-3A-1~7] The New Spintronics Phenomena and Potential for the Applications

[15p-3A-6] Future prospects of the silicon-based spintronics devices

〇Yuichiro Ando¹, Hayato Koike², Tomoyuki Sasaki², Yoshishige Suzuki³, Masashi Shiraishi¹ (1.Kyoto Univ., 2.TDK Corporation, 3.Osaka Univ)

Keywords:silicon,spintronics,semiconductor spintronics

微細化に依らない大規模集積回路（LSI）の高性能化を目指し，スピン偏極電流や純スピン流を情報輸送・演算に利用する“半導体スピントロニクスデバイス”の研究が精力的に進められている．中でもSiは軽元素であり，結晶の空間反転対称性が高く，核スピンを有する²⁹Siが天然存在比で比較的少ないという点から，高いスピンコヒーレンスが期待されている．既存のLSIはSiをベースとしていることを鑑みても，Siベースのスピントロニクスデバイスは工学的需要が極めて高いデバイスと言える．本講演では我々のグループの最近の研究成果を中心にSiベーススピントロニクスの現状と課題について報告する．