[15p-4A-1~17] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[15p-4A-15] PLD法によるIBAD-MgO基板上へのP添加BaFe₂As₂薄膜成長

〇佐藤 光¹、平松 秀典^1,2、神谷 利夫^1,2、細野 秀雄^1,2 (1.東工大応セラ 研、2.東工大元素センター)

キーワード：超伝導、薄膜

金属テープ基板上へのBaFe₂(As,P)₂薄膜を製膜しその臨界電流特性を調べた。12 K、3 TにおけるJ_cの最大値と最小値の比は0.82と現在までの鉄系薄膜線材の中で最も小さい異方性を示している。