[15p-4A-1~17] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[15p-4A-4] TFA-MOD法によるYBa₂Cu₃O_y膜中のBaHfO₃粒状ピンの粒径微細化

〇寺西 亮¹、堀田 宏志¹、山田 和広¹、金子 賢治¹、和泉 輝郎² (1.九州大工、2.超電導工研)

キーワード：超伝導体、YBCO系薄膜プロセス、磁束ピン止め点

三フッ化酢酸塩(TFA)を用いた溶液塗布熱分解(MOD)法によりYBCO薄膜を作製する際に、膜中にBaHfO₃磁束ピン止め点を導入し、仮焼と本焼の間に中間熱処理を施してピン止め点の微細化を行った。中間熱処理として冷却過程を導入した結果、ピン止め点の微細化が促進し、磁場中Jcが向上した。