PDF ダウンロード スケジュール 35 いいね! 2 14:00 〜 14:15 [15p-4C-1] AlONゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MOS-HEMTの電気特性評価 〇淺原 亮平1、伊藤 丈予1、野崎 幹人1、山田 高寛1、中澤 敏志2、石田 昌宏2、上田 哲三2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.パナソニック) キーワード:パワーデバイス、GaN