[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-1] AlONゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MOS-HEMTの電気特性評価

〇淺原 亮平¹、伊藤 丈予¹、野崎 幹人¹、山田 高寛¹、中澤 敏志²、石田 昌宏²、上田 哲三²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.パナソニック)

キーワード：パワーデバイス、GaN