[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-10] 表面活性化接合によるp-Si/n-GaN接合の電気特性評価

〇(M1)西村 拓也¹、梁 剣波¹、渡邉 則之²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.日本電信電話（株）NTT先端集積デバイス研)

キーワード：表面活性化接合、GaN、Si

表面活性化ボンディング(SAB)法は格子定数や熱膨張係数の異なる物質同士を常温で接合することが可能であり、この手法を用いた新たなデバイスの作製が期待されている。我々は前回の応用物理学会においてn⁺-Si/n-GaN接合がオーミック特性を示し、接合界面抵抗が接合後の熱処理に依存することを報告した。今回、我々はSAB法を用いてp-Si/n-GaN接合を作成し、電気特性の評価を行った。