[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-12] 表面活性化ボンディング法によるGaAs/GaN接合の電気特性の評価

〇(M1)山條 翔二¹、梁 剣波¹、渡邉 則之²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.日本電信電話株式会社 NTT 先端集積デバイス研)

キーワード：窒化ガリウム、表面活性化接合、ガリウムヒ素

表面活性化ボンディング(SAB)法は常温で基板同士を直接接合する方法であり、格子定数や熱膨張係数の異なる異種材料の接合形成が可能である。GaAs は高い移動度を持ち、ワイドギャップ半導体であるGaN と組み合わせることで高周波、高耐圧のデバイス作製が期待される。結晶成長によってGaAs/GaN ヘテロ接合を形成することは困難であり、直接接合が有望と考えられる。今回我々は、SAB 法を用いてp-GaAs/n-GaN ヘテロ接合を作製し、その電気特性の評価をおこなった。