[15p-4C-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15p-4C-13] Analysis of electron mobility in AlGaN cannel 2DEG heterostructures

〇Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:AlGaN,2DEG,Mobility

AlGaNチャネルを有する窒化物系2DEGヘテロ構造は、GaNチャネル構造に比べ高い阻止耐圧が期待できるが[1]、その一方で電子移動度の低さが指摘されている。本研究では、AlGaNチャネルヘテロ構造の電子移動度向上の可能性を検討するために、この構造で最も寄与が大きいと予測されるチャネル層での合金散乱を含めた2DEG移動度の数値解析を行ったので報告する。