[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-13] ＡｌＧａＮチャネル２ＤＥＧヘテロ構造の電子移動度解析

〇三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：AlGaN、2次元電子ガス、移動度

AlGaNチャネルを有する窒化物系2DEGヘテロ構造は、GaNチャネル構造に比べ高い阻止耐圧が期待できるが[1]、その一方で電子移動度の低さが指摘されている。本研究では、AlGaNチャネルヘテロ構造の電子移動度向上の可能性を検討するために、この構造で最も寄与が大きいと予測されるチャネル層での合金散乱を含めた2DEG移動度の数値解析を行ったので報告する。