[15p-4C-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15p-4C-14] Performance Prediction of InAlN/AlGaN HFETs for Power Device Application

〇Tatsuya Tsutsumi¹, Nishino Gosuke¹, Joseph Freedsman¹, Miyoshi Makoto¹, Egawa Takashi¹ (1.Nagoya Inst.)

Keywords:nitride semiconductors,HFETs

AlGaNチャネルを有する窒化物系2DEGヘテロ構造は、GaNチャネル構造に比べ高い阻止耐圧を示すことから、将来のパワーデバイス応用が期待できる。我々は、InAlNバリア層を備えたInAlN/AlGaNヘテロ構造について報告をしてきた。今回、InAlN/AlGaN HFETを試作、その評価結果に基づき、理想設計におけるHFETの面積オン抵抗(Ron*A)算出を試みたので報告する。