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[15p-4C-6] i 線ステッパ低容量Y ゲートプロセスによるfT110GHz InAlN/GaN HEMT
キーワード:GaN、HEMT、InAlN
我々はi線ステッパを用いたY ゲートプロセスを開発して、高いgmが確保できるInAlN 供給層と組み合わせることで、ゲート容量(Cgs)0.9pF/mm、電流利得遮断周波数(fT)70GHz の結果を以前に報告した。今回、fTを更に高めるために、ゲート長とゲート電極幅を短縮することでCgsの低減を図った。その結果、Cgsを0.58pF/mm に低減して、fTを110GHz まで高めることに成功した。