[15p-4C-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15p-4C-7] InAlN barrier thickness dependence of device performance for InAlN/AlN/GaN HEMTs (IV)

〇Yoshimi Yamashita¹, Issei Watanabe¹, Akira Endoh^1,2, Akifumi Kasamatsu¹, Takashi Mimura^1,2 (1.NICT, 2.Fujitsu Lab.)

Keywords:GaN,HEMT,InAlN

MIS型およびMES型のInAlN/AlN/GaN HEMTにおいてInAlNバリア層厚を5 nmから2 nmまで薄膜化し、ゲート・チャネル間距離を短縮したデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性を検討した。