15:30 〜 15:45
[15p-4C-7] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性(IV)
キーワード:GaN、HEMT、InAlN
MIS型およびMES型のInAlN/AlN/GaN HEMTにおいてInAlNバリア層厚を5 nmから2 nmまで薄膜化し、ゲート・チャネル間距離を短縮したデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性を検討した。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
2015年9月15日(火) 14:00 〜 17:45 4C (432)
座長:塩島 謙次(福井大)
15:30 〜 15:45
キーワード:GaN、HEMT、InAlN