[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-8] 高い閾値制御性を有するノーマリオフ GaN HEMT のダイオード特性

〇永井 昂哉¹、加藤 直樹¹、成田 知隆¹、長田 大和²、上村 隆一郎²、伊東 健治³、分島 彰男¹、江川 孝志¹ (1.名工大、2.ULVAC、3.金沢工大)

キーワード：GaN、ダイオード