[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-9] δドープGaNキャップ/AlGaN/GaN構造の温度特性

〇(M1)加藤 直樹¹、永井 昂哉¹、分島 彰男¹、江川 孝志¹、長田 大和²、上村 隆一郎² (1.名工大、2.ULVAC)

キーワード：窒化物半導体、HEMT、２次元電子ガス