PDF ダウンロード スケジュール 11 いいね! 0 13:15 〜 13:30 △ [15p-4F-1] 強誘電体をゲート絶縁膜としたダイヤモンド表面チャネル型FET 構造の作製 〇柄谷 涼太1、古市 浩幹1、馬場 一気1、森 陽介1、中嶋 宇史2、徳田 規夫1、川江 健1 (1.金沢大、2.東京理科大) キーワード:ダイヤモンド、FET、VDF/TrFE