[15p-4F-1~25] 6.2 Carbon-based thin films

[15p-4F-11] Influence of n-type contact resistance for diamond (001) pin electron emitters

〇(PC)Tsubasa Matsumoto^1,2, Hiroyuki Kawashima^1,2,3, Hiromitsu Kato^1,2, Toshiharu Makino^1,2, Daisuke Takeuchi^1,2, Satoshi Yamasaki^1,2,3 (1.AIST, 2.CREST c/o AIST, 3.Univ. of Tsukuba)

Keywords:electron emission,contact resistance,pin diode

水素終端ダイヤモンドの負性電子親和力は、電子放出応用に期待される。不純物や欠陥の低取込効率から(111)面よりも高性能な電子放出源が作製可能と考えられる(001)pin電子放出源は、高いn型接触抵抗のため、ビルトイン電圧で電子放出が得られていない。そこで、選択成長による高濃度n型領域のある(001)pin電子放出源を作製した。実際、ビルトイン電圧から急な電子放出電流の増加を確認し、これは接触抵抗低減の効果であると考えている。