[15p-4F-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-4F-11] ダイヤモンド(001)pin電子放出源におけるn型接触抵抗の影響

〇(PC)松本 翼^1,2、川島 宏幸^1,2,3、加藤 宙光^1,2、牧野 俊晴^1,2、竹内 大輔^1,2、山崎 聡^1,2,3 (1.産総研、2.CREST c/o 産総研、3.筑波大学)

キーワード：電子放出、接触抵抗、pinダイオード

水素終端ダイヤモンドの負性電子親和力は、電子放出応用に期待される。不純物や欠陥の低取込効率から(111)面よりも高性能な電子放出源が作製可能と考えられる(001)pin電子放出源は、高いn型接触抵抗のため、ビルトイン電圧で電子放出が得られていない。そこで、選択成長による高濃度n型領域のある(001)pin電子放出源を作製した。実際、ビルトイン電圧から急な電子放出電流の増加を確認し、これは接触抵抗低減の効果であると考えている。