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△ [15p-4F-14] Fabrication of low-resistivity (1 mΩcm) diamond by hot-filament CVD
Keywords:diamond,hot-filament CVD,doping
ダイヤモンドは極限的な物性値を複数有することから，次々世代のパワー半導体材料として注目されている．これまでにショットキーダイオード等の素子構造を例に，物性に依存した高いポテンシャルが実証されてきた．大電流駆動の実用素子構造には，導通時のオン抵抗を低減するために低抵抗ダイヤモンド基板が必要となるが，高濃度不純物に起因した転位などの結晶欠陥を多く含有しており高品質な結晶は得られていなかった．近年我々は，大面積均一成長で優位性のあるフィラメントCVD法による成長に取り組み，基板の品質を維持したホモエピタキシャル成長が可能であることを明らかとした．今回アンドープでの高品質結晶成長技術を基調とし，1020 cm-3を超える高濃度ホウ素ドープ (p+) 薄膜を合成し，抵抗率および結晶構造を評価したので報告する．