13:30 〜 13:45
▲ [15p-4F-2] ALD-Al2O3/SD-AlN as Bilayer Gate Material for Diamond FET
キーワード:diamond,FET
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜
2015年9月15日(火) 13:15 〜 20:00 4F (438)
座長:小山 和博(デンソー),齊藤 丈靖(大阪府立大),嘉数 誠(佐賀大)
13:30 〜 13:45
キーワード:diamond,FET