PDF ダウンロード スケジュール 11 いいね! 0 13:30 〜 13:45 ▲ [15p-4F-2] ALD-Al2O3/SD-AlN as Bilayer Gate Material for Diamond FET 〇RYAN BANAL1, Masataka Imura1, Liu Jiangwei1, Koide Yasuo1 (1.NIMS) キーワード:diamond,FET