[15p-4F-1~25] 6.2 Carbon-based thin films

△ [15p-4F-3] C-H Diamond MOSFETs with 1.7 kV breakdown voltage and>200 mA/mm current density

〇Takuya Kudo¹, Yuya Kitabayashi¹, Tetsuya Yamada¹, Dechen Xu¹, Toshiki Saito¹, Daisuke Matsumura¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:Diamond,MOSFET,Hydrogen-terminated

我々はこれまでに、ダイヤモンド表面を水素終端化することで誘起されるホール蓄積層をチャネルとし、ゲート酸化膜として高温ALD法によるAl₂O₃を用いたMOSFETを作製し、673～10 Kにわたる高温・低温動作特性及び耐圧特性を報告してきた。今回の研究では絶縁膜厚を厚くすることにより耐圧向上化を目指した。