[15p-4F-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

△ [15p-4F-3] 絶縁破壊電圧1.7 kVおよび電流密度~200 mA/mmのC-HダイヤモンドMOSFET

〇工藤 拓也¹、北林 祐哉¹、山田 哲也¹、許 德琛¹、齊藤 俊輝¹、松村 大輔¹、平岩 篤¹、川原田 洋¹ (1.早大理工)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、水素終端

我々はこれまでに、ダイヤモンド表面を水素終端化することで誘起されるホール蓄積層をチャネルとし、ゲート酸化膜として高温ALD法によるAl₂O₃を用いたMOSFETを作製し、673～10 Kにわたる高温・低温動作特性及び耐圧特性を報告してきた。今回の研究では絶縁膜厚を厚くすることにより耐圧向上化を目指した。