2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13 半導体 » 13.10 化合物太陽電池

[15p-PB1-1~24] 13.10 化合物太陽電池

2015年9月15日(火) 13:30 〜 15:30 PB1 (白鳥ホール)

13:30 〜 15:30

[15p-PB1-1] GaN/Ga2O3テンプレート基板上に成長したInGaN/GaN MQW太陽電池構造

〇渡邉 則之1、満原 学1、重川 直輝2 (1.NTT先端集積デバイス研、2.大阪市大)

キーワード:窒化物半導体、太陽電池、酸化ガリウム基板

Ga2O3基板の窒化物半導体太陽電池への適用可能性を探るため、InGaN/GaN MQW太陽電池構造をGa2O3/GaNテンプレート基板上およびGaN基板上に成長し、光学特性を比較・検討した。PL測定および時間分解PL測定の結果から、基板種の違いによる差異は見られず、Ga2O3/GaNテンプレート基板上に成長したInGaN/GaN MQW太陽電池構造の光学特性がGaN基板上の場合と同等であることを示唆している。