The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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8 Plasma Electronics » 8 Plasma Electronics(Poster)

[15p-PB2-1~53] 8 Plasma Electronics(Poster)

Tue. Sep 15, 2015 6:30 PM - 8:30 PM PB2 (Shirotori Hall)

6:30 PM - 8:30 PM

[15p-PB2-47] Calculation of Ion Density for Mixed Gas Plasma Using a Plasma-Based Ion Implantation

〇Kazuhiro Shimono1, Hiromitsu Noguchi1, Takanobu Takeuchi1, Koji Kakugawa1, Takeshi Tanaka1 (1.Hiroshima Inst.of Tech.)

Keywords:Plasma-Based Ion Implantation method

本研究では, PBII法を用いて, 混合ガスのペニング効果によるプラズマ中イオンの性状変化の比較のため, 純酸素にHeを0, 10, 30, 50%と添加した際のプラズマ密度の算定を行った. イオン密度が添加率10%, 電圧4, 6kVにおいて増加し, 電流特性と同じ傾向を示した. この傾向は, He添加によるペニング効果によるものだと示唆する. その結果, 単体ガスと同様に電圧波形の立下り時定数から混合ガスプラズマのイオン密度が算定できることが示唆された.