[15p-PB2-1~53] 8 Plasma Electronics（Poster)

[15p-PB2-48] Comparision of He, Ar added in Penning effect Using a Plasma-Based Ion Implantation.

〇takanobu takeuchi¹, Kazuhiro Shimono¹, Hiromitu Noguchi¹, Koji Kakugawa¹, Takeshi Tanaka¹ (1.Hiroshima Inst.of Tech.)

Keywords:Plasma-Based Ion Implantation method

本研究では、PBII法を用いて, Ar-O₂, He-O₂のペニング効果によるプラズマ中のイオン量の比較のため, 純酸素O₂に対してHe, Arを0%, 10%, 30%, 50%添加した場合の電圧電流特性の比較を行った.
He添加率10%のとき, 4kV, 6kVで純酸素O₂よりも高い電流値が確認できた. また, Ar添加率10%のとき, 6kVで純酸素O₂よりも高い電流値が確認できた.
これらの電流値の増加は, ペニング効果により, 酸素のイオン化が促進されたことに起因していることが示唆された.