[15p-PB2-1~53] 8 Plasma Electronics（Poster)

[15p-PB2-49] Helium Additive Rate Dependence of the Penning Effect Using the PBII Method

〇HIROMITSU NOGUCHI¹, Kazuhiro Shimono¹, Takanobu Takeuchi¹, Sho Hatayama¹, Koji Kakugawa¹, Takeshi Tanaka¹ (1.Hiroshima Inst.of Tech.)

Keywords:Plasma-Based Ion Implantation Method

ペニング効果の殺菌処理への応用のための基礎研究とし, PBII法を用いて, ペニング効果によるプラズマ中イオンの性状変化の検討のため, 純酸素に対しHeを10%,30%及び50%添加した場合の電圧電流特性の比較を行った.
純酸素と比較してHe10%の添加により, 電圧波形の立ち上がり時間の短縮と電流の増加が見られた. この結果から, ペニング効果による, イオン量増加の可能性が示唆された.