[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-1A-11] 高温下ガンマ線照射したSiC MOSFETの電気的特性評価

〇松田 拓磨^1,2、横関 貴史^1,2、三友 啓^1,2、村田 航一^1,2、牧野 高紘²、武山 昭憲²、小野田 忍²、大久保 秀一³、田中 雄季³、神取 幹郎³、吉江 徹³、大島 武²、土方 泰斗¹ (1.埼玉大学、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

キーワード：炭化ケイ素、ガンマ線、高温

本研究では高温下でのガンマ線照射がMOS界面へ与える影響に関して詳細な知見を得るため，SiC MOSキャパシタを150 ^oCでガンマ線照射し，MOSキャパシタの容量ー電圧特性の変化からその影響を調べた．