[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [16a-1A-4] 超高次非線形誘電率顕微鏡法を用いたSiO₂/SiC界面評価技術の検討

〇茅根 慎通¹、小杉 亮治²、田中 保宣³、原田 信介²、奥村 元²、長 康雄¹ (1.東北大、2.産総研、3.内閣府)

キーワード：SiO2/SiC界面、走査型プローブ顕微鏡法、超高次非線形誘電率顕微鏡法