[16a-1A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[16a-1A-5] Oxidation of 4H-SiC by Atmospheric Pressure Thermal-Plasma-Jet

〇Ryosuke Ishimaru¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima Univ.)

Keywords:SiC

高温領域での熱酸化について新たな知見を得ることを目的に、大気圧熱プラズマジェット(TPJ)照射により、他の熱酸化膜形成方法では実現が困難な、1300 ^oC以上における熱酸化膜の形成を試みた。TPJ酸化ではドライ熱酸化に比べ、3 ~ 4倍の酸化速度であった。また平均基板温度1480 ^oCで酸化膜を形成した試料においては、ドライ熱酸化に匹敵する界面準位密度が得られた。TPJ酸化により、SiCの熱酸化時間及びプロセスコストの低減が期待される。