[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-1A-5] 大気圧熱プラズマジェットを用いた4H-SiCの熱酸化

〇石丸 凌輔¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院 先端研)

キーワード：SiC

高温領域での熱酸化について新たな知見を得ることを目的に、大気圧熱プラズマジェット(TPJ)照射により、他の熱酸化膜形成方法では実現が困難な、1300 ^oC以上における熱酸化膜の形成を試みた。TPJ酸化ではドライ熱酸化に比べ、3 ~ 4倍の酸化速度であった。また平均基板温度1480 ^oCで酸化膜を形成した試料においては、ドライ熱酸化に匹敵する界面準位密度が得られた。TPJ酸化により、SiCの熱酸化時間及びプロセスコストの低減が期待される。