10:15 〜 10:30
[16a-1A-6] 容量の過渡応答(C-t 特性)に基づくSiC MOS 界面近傍の膜中への捕獲電荷に起因した緩和現象の理解
キーワード：SiC、MOS界面、過渡応答
講演情報
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）
[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）
2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 1A (131+132)
座長:土方 泰斗(埼玉大)
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）
2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 1A (131+132)
座長:土方 泰斗(埼玉大)
10:15 〜 10:30
キーワード：SiC、MOS界面、過渡応答