[16a-1A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [16a-1A-7] Ultra-high-temperature oxidation of 4H-SiC(0001) surfaces for MOS gate oxides

〇Daisuke Nagai¹, Sometani Mitsuru², Hosoi Takuji¹, Shimura Takayoshi¹, Watanabe Heiji¹ (1.Osaka Univ., 2.Fuji Electric Co., Ltd.)

Keywords:SiC,MOS,oxidation

熱酸化における重要なパラメータのひとつである酸化温度について、酸化に適した温度域が一部では検討されているものの、実施例の多くは1400℃いかであり、それ以上の高温の報告例は極めて少ない。そこで、ドライO₂酸化について最高温度1600℃まで検討した。