[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [16a-1A-7] SiC-MOSゲート酸化膜形成における超高温酸化の検討

〇永井 大介¹、染谷 満²、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機)

キーワード：SiC、MOS、熱酸化

熱酸化における重要なパラメータのひとつである酸化温度について、酸化に適した温度域が一部では検討されているものの、実施例の多くは1400℃いかであり、それ以上の高温の報告例は極めて少ない。そこで、ドライO₂酸化について最高温度1600℃まで検討した。