[16a-1A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [16a-1A-9] Hole Trap Generation due to Interface Nitridation in SiC MOS Devices

〇YOSHIHITO KATSU¹, Atthawut Chanthaphan¹, Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:Power Devices,SiC MOS,Reliability

SiC熱酸化膜界面特性の改善技術である界面窒化処理のキャリアトラップ生成に与える影響を評価するため、n型SiC-MOSキャパシタに対し高温窒素アニールすることで界面に微量の窒素を導入し、紫外光を照射しながら負のゲート電圧を印加するストレス試験を行ったところ、界面への窒素導入は界面欠陥終端効果が顕在化するより先に、正孔トラップ生成を引き起こすことが分かった。