[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [16a-1A-9] SiC MOSデバイスにおける界面窒化処理に起因した正孔トラップ生成

〇勝 義仁¹、チャンタパン アタウット¹、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：パワーデバイス、SiC MOS、信頼性

SiC熱酸化膜界面特性の改善技術である界面窒化処理のキャリアトラップ生成に与える影響を評価するため、n型SiC-MOSキャパシタに対し高温窒素アニールすることで界面に微量の窒素を導入し、紫外光を照射しながら負のゲート電圧を印加するストレス試験を行ったところ、界面への窒素導入は界面欠陥終端効果が顕在化するより先に、正孔トラップ生成を引き起こすことが分かった。