2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[16a-1C-1~11] 13.5 デバイス/集積化技術

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 1C (135)

座長:太田 裕之(産総研)

11:15 〜 11:30

[16a-1C-9] 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセス

〇(M2)木下 治紀1、金澤 徹1、祢津 誠晃1、三嶋 裕一1、宮本 恭幸1 (1.東工大院理工)

キーワード:化合物半導体、マルチゲート、MOVPE