2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16a-2D-5~12] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2015年9月16日(水) 10:15 〜 12:15 2D (212-2)

座長:上野 智雄(農工大)

10:30 〜 10:45

[16a-2D-6] P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価

〇竹内 大智1,2、牧原 克典1、大田 晃生1、宮崎 誠一1 (1.名大院工、2.学振特別研究員)

キーワード：電子放出、シリコンドット