[16a-2J-1~12] 3.9 テラヘルツ全般

[16a-2J-8] 遷移金属を添加した液相成長GaSe結晶の電気特性評価

〇鈴木 康平¹、佐藤 陽平¹、前田 健作¹、小山 裕¹ (1.東北大学院工)

キーワード：GaSe、結晶成長、不純物添加

GaSe結晶は、広い透過波長範囲(0.6~20 μm)、高い非線形光学定数(d₂₂=54 pm/V @10.6 μm)、複屈折性(n_o=2.9082, n_e=2.5676 @1.06 μm)を持っていることから、同軸位相整合による差周波混合が可能な高効率・広帯域THz波発生用非線形光学結晶として期待されている。THz波変換効率の向上のためには低温成長・Se蒸気圧制御が有効である。本研究では、更なる変換効率向上のために、遷移金属添加による結晶へのキャリアキラーセンターの導入を試み、Non-dopeのGaSe結晶と電気的特性について比較する。