[16a-2L-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[16a-2L-1] RFスパッタリング法並びにスピンコート法を用いたPZT膜の圧電特性

〇木島 健¹、濱田 泰彰¹、秦 健次郎¹、本多 祐二¹ (1.ユーテック中研)

キーワード：圧電、チタン酸ジルコン酸鉛

RFスパッタリング法およびスピンコート法により、Pt(200)電極上にPZT(001)強配向膜を形成した。X線回折の結果、両手法によるPZTとも(001)単一配向膜であり、単結晶性の強いPZT薄膜であることが示唆された。しかし、バイポーラ駆動(±2.5V@700Hz)によるd₃₁特性は大きな差が見られ、RFスパッタリング法によるPZTはd₃₁=－120pm/V、スピンコート法によるPZTはd₃₁=－100pm/Vをそれぞれ示した。この結果は、成膜手法の違いに起因される分極成分の違いから推測される。