[16a-2L-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[16a-2L-3] RFスパッタリング法並びにスピンコート法を用いたPZT成膜装置

〇秦 健次郎¹、木島 健¹、濱田 泰彰¹、本多 祐二¹ (1.ユーテック中研)

キーワード：圧電、チタン酸ジルコン酸鉛

(001)方向に完全配向したPZT薄膜を形成する手段として、RFスパッタリング法とスピンコート法による複合成膜装置を作製した。連続成膜装置により、１時間／枚の処理速度で25枚連続成膜でPZT素子を作製できた。またXRDより成膜の安定性を検証した結果、連続成膜の1枚目と25枚目、6インチウェハの中心部と外周部で均質に強い(004)ピークが見られ、安定して(001)高配向PZTを生産できることを示すことができた。