The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.3 deposition of thin film and surface treatment

[16a-2Q-10~13] 8.3 deposition of thin film and surface treatment

Wed. Sep 16, 2015 11:15 AM - 12:15 PM 2Q (231-1)

座長:野崎 智洋(東工大)

11:15 AM - 11:30 AM

[16a-2Q-10] Impact of catalytic metal element on silicon nanowire growth by high-pressure hydrogen plasma chemical transport

〇Hiroki Takemoto1, Hiroaki Kakiuchi1, Kiyoshi Yasutake1, Hiromasa Ohmi1 (1.Osaka Univ.)

Keywords:silicon nanowire,plasma

本研究では,SiH4等の危険な毒性ガスを用いずに半導体薄膜の形成が可能な大気圧プラズマ化学輸送法を利用して,任意に直径や成長方向が制御されたSiナノワイヤの形成を目指している.今回は,Siナノワイヤの成長の際,触媒金属の違いがSiナノワイヤ成長に与える影響を調査し,Siナノワイヤ成長を左右する重要因子について考察した.その結果を報告する.