2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

2 放射線 » 2.3 放射線応用・発生装置・新技術

[16a-2W-1~13] 2.3 放射線応用・発生装置・新技術

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:30 2W (234-2(北側))

座長:瓜谷 章(名大)

09:15 〜 09:30

[16a-2W-2] センサチップ製造に向けた高速重イオンビーム均一照射系の開発

〇藤巻 真1、左高 正雄2、松田 誠2 (1.産総研、2.原子力機構)

キーワード:センサー、バイオセンサー、潜トラック

SiO2基板上にSi薄膜層及びSiO2薄膜層を持つ検出チップを用いる導波モードセンサは、SiO2層にナノ孔を形成して表面積を増加させると、その感度が1桁程度向上できる。ナノ孔形成には、高速重イオン照射によって形成される潜トラックの選択エッチングが最適な手法であるが、量産プロセス化が難しいことが課題であった。そこで我々は、量産化を視野に入れた高速重イオン照射プロセスを構築した。