[16a-4C-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-4C-11] 枚葉式高速回転MOCVD装置による200mm Si基板上AlGaN/GaN HEMT特性

〇宮野 清孝¹、家近 泰¹、高橋 英志¹、佐藤 裕輔¹、三谷 愼一¹ (1.ﾆｭｰﾌﾚｱﾃｸﾉﾛｼﾞｰ)

キーワード：窒化物半導体、MOCVD、HEMT

新たに開発した高速回転MOCVD装置(EPIREVO G8^TM)により、200mm Siウェハ上にAlGaN/GaN HEMT構造を作成し、膜質と電気特性を評価した。5μmのクラックフリーGaN on Siの結晶性は対称面(002)で約250秒、非対称面(102)で約300秒であった。バリアAlGaNのAl組成均一性は±0.6%、HEMT移動度は大凡2000cm²/V-sであった。本装置は次世代パワーデバイスやLED製造に好適と考えられる。