[16a-4C-1~11] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[16a-4C-7] Forward current characteristics on sizes of mesa in vertical GaN p-n diodes

〇sho kanazawa¹, Hiroshi Ohta¹, Naoki Kaneda², Fumimasa Horikiri³, Yoshinobu Narita³, Takehiro Yoshida³, Tomoyoshi Mishima¹, Tohru Nakamura¹ (1.Hosei Univ., 2.Quantum Spread, 3.Sciocs)

Keywords:diodes,mesa,GaN

自立GaN基板上メサ構造縦型p-n接合ダイオードの高性能化の基礎検討として電流の横方向拡がりなどの知見を得るため、p型電極端からメサ端までの距離に対するオン抵抗の変化を評価したので報告する。